Ikw75n65es5 Componente elettronico Infineon IGBT 75A 650V

Informazioni di base

Modello numero:	IKW75N65ES5
Certificazione	RoHS
Struttura di incapsulamento	Chip-transistor
Installazione	Triodo plug-in
funzione	Triodo di potenza
Materiale	plastica e rame
descrizione dettagliata	Transistor bipolare a gate isolato
Numero del prodotto	Ikw75n65es5
Livello massimo di tensione	650,0 V
Categoria	Igbt - Singolo
Tensione – guasto collettore-emettitore	650 V
Descrizione di Samacsys	Arresto trench dei transistor IGBT
Tipo di fissaggio	foro passante
Pacchetto di trasporto	Rohr
specifica	plastica e rame
marchio	CHN
Origine	Cina

Descrizione del prodotto

Caratteristiche del prodotto

•Tensione di saturazione collettore-emettitore molto bassa VCEsat • Miglior compromesso linea/luminosità di commutazione • Tensione di rottura 650 V • Bassa carica di gate QG • Temperatura massima di giunzione 175°C • Qualificazione JEDEC per applicazioni target • Rivestimento in piombo privo di Pb

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